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半导体引线键合检测


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Wirebond光场检测,支持随线全检,提前消除wirebond工艺段异常带来的隐患,提升芯片后道封装良率,避免后端PCBA段损失。


场景实例

 

芯片缺陷图片.png



场景方案


相机型号

VA6H-17B1@L3D00XW

可检芯片类型

金线线径:≥18μm

金线间距:2倍线径

金线层数:≤2层

可检芯片尺寸

≤5mmx5mm

可检线高范围

100μm≤H≤600μm

检测准确率

过检率:≤0.1%

漏检率:≤0.1%

检测效率高

UPH≥20000pcs


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案例分享

项目检测需求


项目名称缺陷检测
产品描述Tray盘:143×67mm²;
MEMS芯片:4×1.5mm²;
金线:直径17.78μm,线高410~440μm;
整版:720颗芯片;
需求描述检测金线缺陷:线偏、断线、少线、并线、塌线、线高等;检测焊球缺陷:无球、球偏、大小球等;
需求背景传统方案无法通过三维的信息进行缺陷判定,无法量化检测高度信息
项目状况2020年12月,沟通需求;
2021年3月,投入验证;
2021年11月,首套验证通过;
2021年12月,批量交付;
产品方案金线检测方案:
VS2@L1D00XW及VA6H-17B1@L3D00CG
检测效率20000UPH
产品运行情况截至目前稳定运行


项目环境标准


内容参数要求
来料平坦度

1)真空吸附;2)产品四角定位销;3)正面压板;样品四角高度差<±30μm;

相机运动控制相机可Z向移动,重复精度<1μm
相机&光源触发控制通过PLC触发相机采集图像;响应时间<10ms;
工作震动相机曝光时长约1ms;画面不存在抖动;
操作系统显卡驱动为现场调试时最新版本
工控机要求配备NvidiaRTX3060显卡


方案视频


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